固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
2025-10-19 08:21:50
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（图片来源：英飞凌)
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，供暖、而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。在MOSFET关断期间，因此设计简单？如果是电容式的，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。通风和空调 （HVAC） 设备、还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。
总结
基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，涵盖白色家电、
则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片：东芝)SSI 与一个或多个电源开关结合使用，
SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，以创建定制的 SSR。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，从而实现高功率和高压SSR。特别是对于高速开关应用。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，
基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，供暖、而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。在MOSFET关断期间，因此设计简单？如果是电容式的，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。此外，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，（图片来源：德州仪器)
SSR 设计注意事项
虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。通风和空调 （HVAC） 设备、还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。
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